تقدیر عمق الشوائب لدایود محضر بطریقة الزرع الأیونی باستخدام ESCA
القسم: Article
الملخص
الخلاصــة تشکل معرفة عمق الانتشار واحدة من أهم الجوانب المهمة وهناک عدة طرق معروفة لقیاس عمق الشوائب منها استخدام المطیاف الکتلی SIMS (1) وطریقة رذرفورد للاستطارة الخلفیةRBS (2) وفی هذا البحث تم استخدام تقنیة التحلیل الکیمیاوی لطیف الإلکترون لتقدیر عمق شوائب الاندیوم داخل شریحة السلیکون لثنـائی وصلة محضر باستخدام حاقـن البلازما النبضی وذلک باعــتماد مــقدار الإزاحة الکیمیاویة لقمم طیف الإلکترون الضوئی للسلیکون والاستمرار بالقشط لحین اختفاء الإزاحة الکیمیاویة لیستـدل منـها على عمق التطعیم لمادة الاندیوم داخل شریحة السلیکون ولوحظ أن عمق التطعیم یصل إلى حوالی . 450 A° داخل السلیکون .
تنزيل هذا الملف
الإحصائيات
التنزيلات
بيانات التنزيل غير متوفرة بعد.
كيفية الاقتباس
[1]
عبد الوهاب شیت ص. و فاضل محمود ح., "تقدیر عمق الشوائب لدایود محضر بطریقة الزرع الأیونی باستخدام ESCA", JES, م 21, عدد 2, ص 1–6, 2008.
