تأثیر تشعیع γ على تراکیب السلیکون المسامی (n) المحضر بالقشط الکهروکیمیائی

حضر السلیکون المسامی باستخدام الخلیة الکهروکیمیائیة عند درجة حرارة الغرفة بزمن قشط (20 min.)، تیار (30 A) ومحلول الکترولیتی ثابت HF:C2H5OH(1:4). العینات تم تشعیعها بأشعة γ بجرعات مختلفة (50,100 Gy). استخدمت عدة تقنیات مثل المجهر الالکترونی الماسح (SEM)، حیود الأشعة السینیة (XRD) وطیف رامان لدراسة تأثیر تشعیع γ على السلیکون المسامی. تبین صور SEM التوزیع العشوائی للمسامات التی تغطی جمیع السطح بأحجام وأشکال دائریة مختلفة. تحلیلات XRD تشیر إلى أن السلیکون المسامی من النوع n والعینات المشععة بأشعة γ عند (50,100 Gy) تنمو بالترکیب السداسی والاتجاه المفضل له على طول المستوی (002) بالاتجاه c. تم التعرف على شکل حزمة التناظر للسلیکون المسامی إلى حد کبیر من طیف رامان