تأثير السطح البيني Si/SiO2 على الخواص الكهربائية في نبيطةMOS ذات غشاء ثنائي اوكسيد السليكون النانوي، المنمى بطريقة الاكسدة المحتثة بالليزر

صُنعت في هذا البحث نبيطةMOS ذات غشاء نانوي من ثنائي أوكسيد السيلكون باستخدام تقنية الأكسدة بالحث الليزري، وعند درجة حرارة 600oC، ولأزمنة مختلفة (5-20)min وتمت دراسة طيف الارضية السيلكونية Si(111) وطيف السطح البيني Si/SiO2 وكذلك طيف الغشاء SiO2 خلال تحليل طيف الامتصاص بواسطة مطياف FTIR.بينت النتائج، وجود قمة حادة عند العدد الموجي (1079cm-1) تقابل اهتزاز الاستطالة في مستوي (Si-O-Si) حيث يكون الاوكسيد المطلوب. اظهرت القياسات الكهربائية استجابة النبيطة لخصائص (C-V) و(I-V)، وأن السعة غير متجانسة عند السطح البيني بين العازل وشبه الموصل بسبب التتناغم مع أشارة (ac) وأنتاج متسعة أضافية تعتمد على التردد، فيما لا يظهر ذلك عند الترددات (f >5kHz)، وهذا يحدد طبيعة الاستجابة الالكترونية للنبيطة. وقد تبين أن الازمنة المختلفة لتكوين الاوكسيد تعطي منحنيات مختلفة لقيمة السعة، حيث ان السعة تزداد بزيادة زمن الحث الليزري. وأيضا أن السمك ذو علاقة عكسية مع زمن الحث الليزري للاكسدة بعد الإنماء الابتدائي السريع. وكذلك بينت خواص (I-V) أن في النبائط MOS المصنعة والمنماة بزمن أكسدة عند (5,10) min يبدأ تيار التسرب فيها بعد 0.6 volt، فيما بدأ تيار التسرب بعد 0.4 volt للنماذج المؤكسدة بزمن 15min. اما النماذج المؤكسد بزمن min (20) فقد بدأ تيار التسرب عند 0.2 volt.